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电子元器件详细资料 » IC[33706] » ZXMC3A18DN8TA
型号:ZXMC3A18DN8TA类别:FET - 阵列制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH/P-CH 30V 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH/P-CH 30V 8-SOIC
系列-
制造商Diodes Inc
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C5.8A,4.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C25 毫欧 @ 5.8A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs36nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1800pF @ 25V
功率_最大1.25W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SO
包装剪切带 (CT)

供应商

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