型号:ZXMC3A18DN8TA | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Diodes Inc |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N-CH/P-CH 30V 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH/P-CH 30V 8-SOIC |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
FET型 | N 和 P 沟道 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 5.8A,4.8A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 25 毫欧 @ 5.8A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 36nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1800pF @ 25V |
功率_最大 | 1.25W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
上海齐创科技有限公司(上海青岛北京) | 李小姐/郭先生/钱先生-本公司可开具13%增值税发票021-62153656青岛0532-82001686军工专家真诚为您服务 |
深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生0755-82561519 |
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